Công nghệ
Samsung giới thiệu công nghệ đúc 2 nm mới cho chip AI
Samsung giới thiệu công nghệ đúc 2 nm mới cho chip AI, bao gồm hai nút tiên tiến SF2Z và SF4U, tại sự kiện Samsung Foundry Forum ở San Jose. Công nghệ BSPDN và thu nhỏ quang học giúp nâng cao hiệu suất, giảm tiêu thụ điện năng, hướng tới các chip AI và HPC tương lai. Sản xuất dự kiến từ 2025 và 2027.
Samsung giới thiệu công nghệ đúc 2 nm mới cho chip AI tại sự kiện Samsung Foundry Forum ở San Jose
Samsung Electronics đã chính thức giới thiệu công nghệ đúc chip mới với các nút tiên tiến SF2Z (2 nm) và SF4U (4 nm) dành cho chip HPC và AI tại sự kiện Samsung Foundry Forum (SFF) diễn ra ở San Jose từ ngày 12-13 tháng 6. Sự kiện này thu hút sự quan tâm của nhiều chuyên gia và công ty công nghệ hàng đầu thế giới trong lĩnh vực bán dẫn, đánh dấu một bước tiến quan trọng của Samsung trong việc củng cố vị thế của mình trên thị trường toàn cầu.
Tại sự kiện, Samsung đã mô tả chi tiết về những cải tiến vượt trội trong công nghệ đúc chip của mình. Đặc biệt, nút quy trình 2 nm SF2Z kết hợp công nghệ mạng lưới cung cấp điện mặt sau (BSPDN) được tối ưu hóa, cho phép đặt các thanh ray điện ở mặt sau của tấm wafer. Điều này giúp loại bỏ tình trạng tắc nghẽn giữa các đường dây điện và tín hiệu, nâng cao hiệu suất tổng thể của chip.
Sự kiện Samsung Foundry Forum không chỉ là nơi để công ty giới thiệu các công nghệ mới mà còn là cơ hội để Samsung khẳng định cam kết của mình trong việc liên tục cải tiến và đổi mới công nghệ nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của thị trường. Với sự ra mắt của các nút quy trình mới này, Samsung đang định hình lại tương lai của ngành công nghiệp bán dẫn, đặc biệt là trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao.
Công nghệ SF2Z và SF4U: Nâng cao hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng cho chip AI và HPC
Công nghệ SF2Z và SF4U của Samsung đại diện cho những bước tiến đáng kể trong việc nâng cao hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng cho các chip AI và HPC. Nút quy trình SF2Z, với công nghệ 2 nm tiên tiến, được thiết kế đặc biệt để tối ưu hóa mạng lưới cung cấp điện mặt sau (BSPDN). Bằng cách đặt các thanh ray điện ở mặt sau của tấm wafer, SF2Z loại bỏ tình trạng tắc nghẽn giữa các đường dây điện và tín hiệu, giúp tăng cường công suất, hiệu suất và diện tích (PPA) so với thế hệ đầu của nút 2 nm. Việc áp dụng công nghệ BSPDN không chỉ giúp giảm đáng kể độ sụt điện áp mà còn nâng cao hiệu suất của các thiết kế HPC, mang lại những cải tiến vượt trội cho ngành công nghiệp điện toán hiệu năng cao.
Trong khi đó, SF4U là nút quy trình 4 nm được cải tiến PPA bằng công nghệ thu nhỏ quang học. Công nghệ này cho phép thu nhỏ thiết kế khuôn chip hiện có mà không cần thay đổi nhiều về mặt kiến trúc, mang lại lợi ích to lớn trong việc duy trì và nâng cao hiệu suất của các chip hiện tại. Với SF4U, các thiết kế chip không chỉ trở nên nhỏ gọn hơn mà còn hoạt động hiệu quả hơn, tiêu thụ ít điện năng hơn.
Cả hai công nghệ SF2Z và SF4U đều nhắm đến mục tiêu cải thiện hiệu suất và tiết kiệm năng lượng, đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của thị trường AI và HPC. Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất nút quy trình 4 nm vào năm 2025 và nút quy trình 2 nm vào năm 2027, cho thấy cam kết mạnh mẽ của hãng trong việc tiếp tục đổi mới và cung cấp các giải pháp công nghệ tiên tiến cho ngành công nghiệp bán dẫn.
Đặc điểm của công nghệ BSPDN trong nút quy trình 2 nm SF2Z và những lợi ích vượt trội
Công nghệ BSPDN (Backside Power Delivery Network) được áp dụng trong nút quy trình 2 nm SF2Z của Samsung là một bước tiến đột phá trong lĩnh vực bán dẫn. Công nghệ này đặt các thanh ray điện ở mặt sau của tấm wafer, thay vì mặt trước như các thiết kế truyền thống. Cách bố trí này giúp loại bỏ tình trạng tắc nghẽn giữa các đường dây điện và tín hiệu, tối ưu hóa việc phân phối điện năng và tăng hiệu suất hoạt động của chip.
Một trong những lợi ích chính của BSPDN là khả năng tăng cường công suất, hiệu suất và diện tích (PPA) so với các nút quy trình trước đó. Điều này có nghĩa là chip được sản xuất với công nghệ SF2Z sẽ có hiệu suất cao hơn, tiêu thụ ít điện năng hơn và chiếm ít diện tích hơn trên bảng mạch. Đặc biệt, việc giảm độ sụt điện áp là một trong những cải tiến quan trọng, giúp tăng hiệu suất tổng thể của các thiết kế HPC (High-Performance Computing).
Việc tích hợp BSPDN vào nút quy trình 2 nm SF2Z không chỉ giúp nâng cao hiệu suất mà còn mang lại những lợi ích về chi phí sản xuất và khả năng mở rộng. Với cấu trúc điện mặt sau, các thiết kế chip có thể được thu nhỏ hơn nữa, tạo điều kiện cho việc tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn vào một chip duy nhất. Điều này không chỉ nâng cao hiệu suất mà còn mở ra cơ hội phát triển các ứng dụng công nghệ mới trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao.
Samsung khẳng định rằng công nghệ BSPDN trong SF2Z là một bước tiến quan trọng trong hành trình phát triển các công nghệ bán dẫn tiên tiến. Với những lợi ích vượt trội về hiệu suất và tiết kiệm năng lượng, SF2Z dự kiến sẽ trở thành lựa chọn hàng đầu cho các ứng dụng AI và HPC trong tương lai.
Công nghệ thu nhỏ quang học trong nút quy trình 4 nm SF4U và khả năng thu nhỏ thiết kế khuôn chip
Công nghệ thu nhỏ quang học được áp dụng trong nút quy trình 4 nm SF4U của Samsung mang đến những cải tiến đáng kể trong việc thu nhỏ thiết kế khuôn chip mà không cần thay đổi nhiều về mặt kiến trúc. Công nghệ này cho phép các nhà sản xuất giữ nguyên cấu trúc hiện có của chip trong khi vẫn giảm được kích thước vật lý của chúng, điều này mang lại nhiều lợi ích về hiệu suất và tiết kiệm năng lượng.
Bằng cách sử dụng công nghệ thu nhỏ quang học, Samsung có thể tối ưu hóa diện tích bề mặt của chip, giúp tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn trong một không gian nhỏ hơn. Điều này không chỉ giúp tăng cường hiệu suất của chip mà còn giảm thiểu tiêu thụ điện năng, một yếu tố quan trọng đối với các thiết bị AI và HPC hiện đại. Việc thu nhỏ kích thước chip mà vẫn duy trì hiệu suất cao là một thách thức lớn trong ngành công nghiệp bán dẫn, và công nghệ thu nhỏ quang học của SF4U đã đáp ứng được yêu cầu này.
Ngoài ra, công nghệ này cũng giúp giảm chi phí sản xuất bằng cách tận dụng tối đa các thiết kế chip hiện có. Thay vì phải thiết kế lại hoàn toàn kiến trúc của chip, các nhà sản xuất có thể áp dụng công nghệ thu nhỏ quang học để cải tiến và nâng cấp các sản phẩm hiện tại. Điều này giúp tiết kiệm thời gian và chi phí nghiên cứu và phát triển, đồng thời nhanh chóng đưa các sản phẩm mới ra thị trường.
Với việc dự kiến đi vào sản xuất từ năm 2025, nút quy trình 4 nm SF4U sẽ đóng vai trò quan trọng trong chiến lược phát triển dài hạn của Samsung. Công nghệ thu nhỏ quang học không chỉ giúp Samsung giữ vững vị thế dẫn đầu trong ngành công nghiệp bán dẫn mà còn mở ra cơ hội mới cho các ứng dụng AI và HPC trong tương lai. Sự kết hợp giữa hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng của SF4U hứa hẹn mang lại những sản phẩm đột phá, đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của thị trường công nghệ.
Lộ trình sản xuất của Samsung với nút 4 nm vào năm 2025 và nút 2 nm vào năm 2027
Samsung đã vạch ra lộ trình sản xuất đầy tham vọng cho các nút quy trình tiên tiến của mình, với mục tiêu đưa nút 4 nm (SF4U) vào sản xuất vào năm 2025 và nút 2 nm (SF2Z) vào năm 2027. Đây là những bước đi chiến lược nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của thị trường đối với các chip AI và HPC (High-Performance Computing), đồng thời khẳng định vị thế dẫn đầu của Samsung trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Nút quy trình 4 nm SF4U được cải tiến với công nghệ thu nhỏ quang học, cho phép thu nhỏ thiết kế khuôn chip mà không cần thay đổi nhiều về mặt kiến trúc. Điều này không chỉ giúp nâng cao hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng mà còn giảm chi phí sản xuất bằng cách tận dụng tối đa các thiết kế hiện có. Việc đưa SF4U vào sản xuất vào năm 2025 đánh dấu một bước tiến quan trọng trong việc thương mại hóa công nghệ đúc tiên tiến này, mở ra cơ hội cho nhiều ứng dụng mới trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao.
Trong khi đó, nút quy trình 2 nm SF2Z với công nghệ BSPDN (Backside Power Delivery Network) được tối ưu hóa sẽ bắt đầu sản xuất vào năm 2027. Việc áp dụng BSPDN giúp loại bỏ tình trạng tắc nghẽn giữa các đường dây điện và tín hiệu, tăng cường công suất, hiệu suất và diện tích (PPA), đồng thời giảm đáng kể độ sụt điện áp. Những cải tiến này không chỉ giúp nâng cao hiệu suất của các thiết kế HPC mà còn mở rộng khả năng ứng dụng của các chip AI, đáp ứng yêu cầu khắt khe về hiệu năng và tiết kiệm năng lượng.
Lộ trình sản xuất của Samsung không chỉ phản ánh cam kết mạnh mẽ của hãng trong việc liên tục đổi mới và phát triển công nghệ mà còn cho thấy tầm nhìn dài hạn trong việc định hình tương lai của ngành công nghiệp bán dẫn. Việc chuẩn bị kỹ lưỡng và đầu tư mạnh mẽ vào các công nghệ mới sẽ giúp Samsung duy trì vị thế cạnh tranh và tiếp tục dẫn đầu trong cuộc đua công nghệ toàn cầu.
Khả năng ứng dụng công nghệ đúc tiên tiến của Samsung cho chip trên smartphone
Khả năng ứng dụng công nghệ đúc tiên tiến của Samsung cho chip trên smartphone mở ra nhiều triển vọng mới cho ngành công nghiệp di động. Công nghệ đúc 2 nm và 4 nm của Samsung, với các nút quy trình SF2Z và SF4U, không chỉ mang lại những cải tiến vượt trội về hiệu suất và tiết kiệm điện năng mà còn giúp giảm kích thước và tăng cường tính năng của các chip được tích hợp trong điện thoại thông minh.
Nút quy trình 2 nm SF2Z, với công nghệ BSPDN (Backside Power Delivery Network) tối ưu hóa, giúp loại bỏ tình trạng tắc nghẽn giữa các đường dây điện và tín hiệu. Điều này cải thiện đáng kể hiệu suất tổng thể của chip, làm cho các thiết bị di động hoạt động nhanh hơn và hiệu quả hơn. Việc giảm độ sụt điện áp cũng giúp kéo dài tuổi thọ pin, một yếu tố quan trọng đối với người dùng smartphone. Những cải tiến này không chỉ đáp ứng nhu cầu ngày càng cao của người tiêu dùng về hiệu năng mà còn mang lại trải nghiệm sử dụng mượt mà và ổn định hơn.
Trong khi đó, nút quy trình 4 nm SF4U, với công nghệ thu nhỏ quang học, cho phép thu nhỏ thiết kế khuôn chip hiện có mà không cần thay đổi nhiều về mặt kiến trúc. Điều này mang lại lợi ích lớn trong việc tích hợp nhiều tính năng hơn vào không gian nhỏ hẹp của điện thoại thông minh. Chip nhỏ gọn hơn nhưng vẫn duy trì hoặc thậm chí nâng cao hiệu suất giúp các nhà sản xuất smartphone tạo ra những sản phẩm mỏng hơn, nhẹ hơn nhưng mạnh mẽ hơn, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về thiết kế và tính năng của người tiêu dùng.
Việc ứng dụng các công nghệ đúc tiên tiến này vào sản xuất chip cho smartphone cũng phản ánh tầm nhìn chiến lược của Samsung trong việc dẫn đầu thị trường công nghệ di động. Bằng cách kết hợp các công nghệ tiên tiến, Samsung không chỉ tạo ra những cải tiến đáng kể về hiệu suất và tiêu thụ điện năng mà còn mở ra những khả năng mới cho việc phát triển các tính năng tiên tiến trên điện thoại thông minh. Điều này giúp Samsung duy trì và củng cố vị thế cạnh tranh của mình trên thị trường toàn cầu, đồng thời mang lại những trải nghiệm vượt trội cho người dùng.
Tầm nhìn tương lai của Samsung với nút quy trình 1.4 nm và cải tiến vật liệu, cấu trúc dưới 1.4 nm
Tầm nhìn tương lai của Samsung với nút quy trình 1.4 nm thể hiện cam kết mạnh mẽ của công ty trong việc tiếp tục dẫn đầu ngành công nghiệp bán dẫn thông qua những cải tiến đột phá về vật liệu và cấu trúc. Nút quy trình 1.4 nm không chỉ đại diện cho một bước tiến vượt bậc về mặt công nghệ mà còn mở ra những cơ hội mới cho các ứng dụng tiên tiến trong nhiều lĩnh vực, đặc biệt là trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao.
Việc phát triển nút quy trình 1.4 nm đòi hỏi những cải tiến vượt trội về vật liệu, giúp tăng cường khả năng dẫn điện và giảm thiểu điện trở. Những vật liệu mới này sẽ cho phép tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn trên một diện tích nhỏ, từ đó nâng cao hiệu suất và giảm tiêu thụ điện năng của chip. Samsung đang tích cực nghiên cứu và phát triển các loại vật liệu tiên tiến để đáp ứng những yêu cầu khắt khe này, nhằm tạo ra những sản phẩm không chỉ mạnh mẽ hơn mà còn tiết kiệm năng lượng hơn.
Bên cạnh đó, việc cải tiến cấu trúc dưới 1.4 nm cũng đóng vai trò quan trọng trong chiến lược phát triển của Samsung. Các cấu trúc mới sẽ giúp tối ưu hóa việc bố trí các thành phần trên chip, giảm thiểu tình trạng tắc nghẽn và tăng cường hiệu suất tổng thể. Đặc biệt, với sự phát triển của các ứng dụng đòi hỏi hiệu năng cao như AI và HPC, những cải tiến này sẽ mang lại những lợi ích đáng kể, giúp các thiết bị hoạt động nhanh hơn và hiệu quả hơn.
Samsung không ngừng tìm kiếm các giải pháp sáng tạo để cải tiến và hoàn thiện công nghệ của mình. Tầm nhìn tương lai với nút quy trình 1.4 nm và các cải tiến vật liệu, cấu trúc dưới 1.4 nm cho thấy Samsung đang định hình lại tương lai của ngành công nghiệp bán dẫn, đồng thời mở ra những triển vọng mới cho các ứng dụng công nghệ cao. Những nỗ lực này không chỉ giúp Samsung duy trì vị thế dẫn đầu mà còn đóng góp vào sự phát triển chung của ngành công nghiệp, mang lại những sản phẩm tiên tiến và hiệu quả hơn cho người tiêu dùng toàn cầu.
Các chủ đề liên quan: Samsung , quy trình sản xuất chip , sản xuất chip , chip AI
Tổng biên tập: Nguyễn Ngọc Kim Hằng
